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企業(yè)動(dòng)態(tài)
蘇州伊洛世界*16×16單元型MEMS非接觸式溫度傳感器
據(jù)歐姆龍株式會(huì)社(本社：日本京都市下京區(qū)；代表取締役社長(zhǎng)：山田義仁)宣布：歐姆龍已完成世界※應(yīng)用晶圓級(jí)真空封裝技術(shù)的紅外線傳感器的研發(fā)，成功開發(fā)了具有90度廣視野范圍并可實(shí)現(xiàn)高精度區(qū)域溫度檢測(cè)的16x16單元型非接觸式溫度傳感器，并擬于2013年10月開始出售樣品。
近年來(lái)，隨著家庭及辦公場(chǎng)所對(duì)節(jié)能的意識(shí)不斷提高，在節(jié)能的同時(shí)還致力于實(shí)現(xiàn)舒適生活的智能家居，以及為必要的地方提供必要亮度的照明，并可實(shí)現(xiàn)節(jié)能與舒適性兩全其美的應(yīng)需環(huán)境照明(Task-Ambient LightingSystem)等的智能辦公室已經(jīng)過(guò)研究階段進(jìn)入了驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)的階段。其中，作為掌握人數(shù)及人物所處位置的關(guān)鍵件，人感傳感器的需求正在不斷高漲。
由于普遍用于人感傳感器的熱電傳感器無(wú)法檢測(cè)靜止不動(dòng)的人物，所以難以檢測(cè)人數(shù)及人物所處位置。鑒于這種情況，歐姆龍開發(fā)了能夠檢測(cè)靜止人物，具有90度廣視野范圍并可實(shí)現(xiàn)高精度區(qū)域溫度檢測(cè)，用于人感傳感器的16×16單元型MEMS非接觸式溫度傳感器。
MEMS非接觸式溫度傳感器是通過(guò)應(yīng)用MEMS技術(shù)的熱電堆將對(duì)象物體發(fā)出的紅外線能源變?yōu)闊崮?，并通過(guò)兩種金屬接點(diǎn)之間溫差所形成的熱電動(dòng)勢(shì)測(cè)量溫度。但由于熱電堆所轉(zhuǎn)換的熱能大多數(shù)都會(huì)通過(guò)空氣散失，所以在金屬接點(diǎn)之間難以形成較大的溫差，致使熱電動(dòng)勢(shì)變小，無(wú)法提高靈敏度。
這次，世界成功將熱電堆真空封裝在芯片內(nèi)。采用真空封裝即可避免將熱電堆轉(zhuǎn)換的熱能散失在空氣中，使金屬接點(diǎn)之間的溫差變大，從而可實(shí)現(xiàn)更高的靈敏度。
今后將與用于檢測(cè)人數(shù)及人物所處位置的演算法及非接觸式溫度傳感器結(jié)合在一起，作為組件化的人體傳感器竭力實(shí)現(xiàn)商品化。
配有該非接觸式溫度傳感器的人感傳感器展品將于7月3日(周三)至5日(周五)，在日本東京Big Sight舉辦的“Nano Micro Biz 2013(原Micro Machine / MEMS展覽會(huì))”展出。
本項(xiàng)開發(fā)是通過(guò)與新能源?產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)NEDO(New Energy and Industrial TechnologyDevelopment Organization)的共同研究業(yè)務(wù)所獲得成果。
※截至2013年5月29日，根據(jù)本公司調(diào)查。作為MEMS非接觸式溫度傳感器。
特長(zhǎng)
? 通過(guò)采用熱電堆的方式，可檢測(cè)熱電傳感器無(wú)法檢測(cè)的靜止人物，zui適用于人感傳感器。
? 通過(guò)采用256像素(16×16單元)的二維區(qū)域溫度檢測(cè)，提高人物所處位置的檢測(cè)精度。
? 擁有90度的廣視野角度，可檢測(cè)廣范圍的區(qū)域溫度。例如，對(duì)于原需裝配4個(gè)45度視野角度傳感器的區(qū)域，僅需用1個(gè)傳感器即可檢測(cè)。
? 因能實(shí)現(xiàn)4幀/秒(幀速率:每秒的畫面輸出次數(shù))的高速溫度輸出，所以可檢測(cè)以1.0米/秒的速度移動(dòng)的人物。
傳感器外觀
主要規(guī)格
| 規(guī)格項(xiàng)目 | 規(guī)格參數(shù) |
| 單元數(shù) | 16 x 16單元 |
| 對(duì)象物溫度檢測(cè)范圍 | 5~50 oC |
| 視野角度 | 90度以上 |
| 電源電壓 | DC2.7~5.5V |
| 通信方式 | SPI |
| 噪聲等效溫差(NETD) | 0.15 oC |
| 外觀尺寸 | 寬20mm × 長(zhǎng)37mm × 高10.7mm |
上市時(shí)期
2013年10月(樣品銷售)
銷售目標(biāo)
2015年度 20億日元
非接觸式溫度傳感器的檢測(cè)原理
利用兩種金屬接點(diǎn)之間溫差所形成的熱電動(dòng)勢(shì)導(dǎo)致的塞貝克效應(yīng)(Seebeck effect)。將n型多晶硅、p型多晶硅以及鋁為材料的熱電偶串接成熱電堆。通過(guò)在薄膜上形成一個(gè)金屬接點(diǎn)(溫接點(diǎn))，并在導(dǎo)熱性強(qiáng)的多晶硅上形成另一個(gè)金屬接點(diǎn)(冷接電)，提高能源效率。通過(guò)采用真空封裝即可避免將熱電堆轉(zhuǎn)換的熱能散失在空氣中。
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